&nbsp;&nbsp; Транзистор - хитроумный прибор. Понять принципы работы транзистора нелегко, но ведь его сумели изобрести! Надеемся, что вы сможете понять, как он работает, даже по краткому описанию.<br>&nbsp;&nbsp; Рассмотрим один из видов транзисторов из германия или кремния с введенными в них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (толщиной порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника ''n''-типа между двумя слоями полупроводника ''р''-типа (''рис.16.17''). Эту тонкую прослойку называют '''основанием''', или '''базой'''.<br>[[Image:A16.17.jpg|center|597x266px]]&nbsp;&nbsp; В кристалле образуются два ''р-n''-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 16.17. В данной схеме левый ''р-n''-переход является ''прямым'' и отделяет базу от области с проводимостью ''р''-типа, называемую '''эмиттером'''. Если бы не было правого ''р-n''-перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напряжения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого перехода эмиттер - база.<br>&nbsp;&nbsp; Батарея Б2 включена так, что правый ''р-n''-переход в схеме (см. рис. 16.17) является ''обратным''. Он отделяет базу от правой области с проводимостью ''р''-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого р-n-перехода, сила тока в цепи коллектора была бы близка к нулю, так как сопротивление обратного перехода очень велико. При существовании же тока в левом ''р-n''-переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.<br>&nbsp;&nbsp; Это объясняется следующим. При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника ''р''-типа (дырки) проникают в базу, где они являются уже ''неосновными носителями''. Поскольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают в коллектор за счет диффузии. Правый р-n-переход закрыт для основных носителей заряда базы - электронов, но не для дырок. В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см. рис. 16.17) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости.<br>&nbsp;&nbsp; Сила тока в коллекторе, почти равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током через эмиттер. Сопротивление резистора ''R'' мало влияет на ток в коллекторе, и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе ''R''.<br>&nbsp;&nbsp; При большом сопротивлении резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение напряжения сигнала в цепи эмиттера. Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке ''R'' можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.<br>&nbsp;&nbsp; '''Применение транзисторов'''. Современная электроника базируется на микросхемах и микропроцессорах, включающих в себя колоссальное число транзисторов. Компьютеры, составленные из микросхем и микропроцессоров, фактически изменили окружающий человека мир. В настоящее время не существует ни одной области человеческой деятельности, где компьютеры не служили бы активными помощниками человека. Например, в космических исследованиях или высокотехнологичных производствах работают микропроцессоры, уровень организации которых соответствует искусственному интеллекту.<br>&nbsp;&nbsp; Транзисторы (рис.16.18, 16.19) получили чрезвычайно широкое распространение в современной технике. Они заменяют электронные лампы в электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры. Портативные радиоприемники, использующие такие приборы, в обиходе называются транзисторами. Преимуществом транзисторов (так же как и полупроводниковых диодов) по сравнению с электронными лампами является прежде всего отсутствие накаленного катода, потребляющего&nbsp; значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того, эти приборы в десятки и сотни раз меньше по размерам и массе, чем электронные лампы. Работают они при более низких напряжениях.<br>[[Image:A16.18.jpg|center|222x164px]][[Image:A16.19.jpg|center|332x169px]]&nbsp;&nbsp; Свойства ''р-n''-перехода в полупроводниках используются для усиления и генерации электрических колебаний.<br><br><br>&nbsp;&nbsp;&nbsp;???<br>&nbsp;&nbsp; 1. Почему база транзистора должна быть узкой?<br>&nbsp;&nbsp; 2. Как надо включать в цепь транзистор, у которого база является полупроводником ''р''-типа, а эмиттер и коллектор - полупроводниками ''n''-типа?<br>&nbsp;&nbsp; 3. Почему сила тока в коллекторе почти равна силе тока в эмиттере?<br>  

<br> ''Г.Я.Мякишев, Б.Б.Буховцев, Н.Н.Сотский, Физика 10 класс''